SK hynix为其在美国的首座AI内存先进封装生产设施举行了正式奠基仪式。

这家韩国半导体巨头预计将向这座位于印第安纳州西拉法叶的设施总计投资超过40亿美元。该设施计划于2028年10月前启用洁净室，并于2029年下半年开始生产新一代HBM（高带宽内存）。

“预计在正式投入商业运营期间，该设施将由约1,000名员工运营，并发展成为美国的关键HBM生产中心，”SK hynix在一份声明中表示。

这座印第安纳州晶圆厂是SK hynix在美国的首个HBM生产基地，将与该公司在韩国的生产线密切协作。SK hynix将把在韩国制造的晶圆运往印第安纳州进行先进封装和测试，然后以成品HBM的形式出售给美国客户。

SK hynix还在建设一座HBM先进封装研发测试基地，以便客户、大学和商业合作伙伴合作开发下一代技术。

HBM是运行当今AI系统的硬件核心组成部分。它是一种高速内存，位于GPU旁边，为GPU提供训练和运行模型所需的数据。SK hynix与Samsung Electronics和Micron Technology并列为该类内存的主要供应商。

这一最新项目紧随彭博社7月的一篇报道。报道称，美国商务部长Howard Lutnick敦促SK hynix和Samsung Electronics扩大在美国的内存芯片生产，以缓解与AI相关的短缺。

与此同时，这家公司已经在韩国交易所上市，并于7月在纳斯达克上市美国存托凭证，筹资265亿美元。这次发行跻身有史以来规模最大的股票发行之列。虽然ADR定价为149美元，但SKHY周四收于161.61美元，上涨2.27%。