SK hynixは、米国初となるAIメモリの先端パッケージング生産施設の正式な起工式を開催した。

韓国の半導体大手は、インディアナ州West Lafayetteに建設するこの施設に、総額40億ドルを超える投資を見込んでいる。クリーンルームは2028年10月までに稼働し、次世代HBM（高帯域幅メモリ）の量産を2029年下期に開始する予定だ。

「商業稼働が見込まれる段階では、約1,000人の従業員を擁し、米国の主要なHBM生産拠点へと成長すると予想される」とSK hynixは声明で述べた。

インディアナ工場は、SK hynixにとって米国初のHBM生産拠点となり、韓国の生産ラインと緊密に連携して稼働する。SK hynixは韓国で製造したウェハーをインディアナに出荷し、そこで先端パッケージングとテストを行った後、完成品のHBMとして米国の顧客に販売する。

SK hynixは、HBMの先端パッケージング向けの研究開発用テストベッド施設も建設している。顧客や大学、ビジネスパートナーが次世代技術で協業できるようにするためだ。

HBMは、現在のAIシステムを動かすハードウェアの中核を担っている。GPUの隣に配置され、モデルの学習や推論に必要なデータを供給する高速メモリだ。SK hynixは、Samsung ElectronicsやMicron Technologyと並ぶ主要なHBMサプライヤーである。

今回の最新プロジェクトは、Bloombergが7月に掲載した報道に続くものだ。同報道によると、米商務長官のHoward Lutnick氏は、AI関連の供給不足を緩和するため、SK hynixとSamsung Electronicsに米国でのメモリチップ製造を拡大するよう求めた。

一方、すでにKorea Exchangeに上場している同社は7月、Nasdaqに米国預託証券（ADR）を上場し、265億ドルを調達した。これは史上最大級の株式公開の一つとなった。ADRの価格は149ドルだったが、SKHYは木曜日に2.27%高の161.61ドルで取引を終えた。